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AS78L15ZTR-E1 AS78L15ZTR-E1
AS78L15ZTR-E1中文資料第9頁精選內容: 100MA正電壓調節器 AS78LXX數據表 9 2013年5月REV. 3 BCD半導體制造有限公司注2:0.01推薦使用μF最小負載電容來限制高頻噪聲.電氣特性(續)參數符號條件敏典型馬克斯單元輸出電壓 V OUT 14.4 15.0 15.6 V 17.5V ≤V IN≤30V, 1毫安 ≤I OUT≤100MA ,P D≤0.75W 14.25 15.75線路調整 V RLIN...
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AM4953FMTR-G1 AM4953FMTR-G1
AM4953FMTR-G1中文資料第10頁精選內容:數據表 BTL驅動單相全波風扇電機驅動器 AM4953 2011年8月 REV.1.2 BCD半導體制造有限公司 10典型應用 FG VCC OUT2 GND OUT1 CT在- IN + AM4953大廳 R1 D1 C1 C2大號 RD R2 HB V FG V RD (注4) (筆記2) FG VCC OUT2 GND OUT1 CT在- IN + AM4953 R3 C1 C2大號 AH921 R1 V FG D1 HB RD V RD R2 (注5) (注4) (注4...
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AZ1086D-1.8E1 AZ1086D-1.8E1
AZ1086D-1.8E1中文資料第10頁精選內容: 1.5A低壓差線性穩壓器 AZ1086數據表 10 2011年4月修訂版1. 8 BCD半導體制造有限公司典型性能特征(續)圖10.短路電流與結溫的關系 0 25 50 75 100 125 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00 2.25結溫( O C)圖8.壓差與輸出電流的關系 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1...
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APT13005STF-G1 APT13005STF-G1
APT13005STF-G1中文資料第2頁精選內容:高壓快速開關NPN功率晶體管 APT13005S數據表 2 2011年8月修訂版1. 1 BCD半導體制造有限公司引腳配置 U包 (TO-126) TF包裝 (TO-220F-3)基礎發射集電極基礎發射集電極我包 (TO-251)集電極基礎發射 3 2 1圖2. APT13005S的引腳配置(前視圖) 1 2 3 1 2 3
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AP3720MTR-G1 AP3720MTR-G1
初步數據表用于BJT的電流模式PWM控制器 AP3720 2009年7月修訂版1.0 BCD半導體制造有限公司 3功能框圖跳躍 OLP VF4 VF2 VF3義務 PWM比較 CS FB坡度補償 [R小號 OSC 65K / 20K Q駕駛 OCP V2 COMP COMP COMP COMP線賠償金 DRV調節器 &UVLO內部供應 VCC GND線 OLP OTP故障?;ぢ嘸?VREF&V偏置 VF4 VF3 VF2 K1 OVP V1 COMP OVP偏壓 1 3 4五 6 7 8?...
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AM4951MPTR-G1 AM4951MPTR-G1
AM4951MPTR-G1中文資料第1頁精選內容:產品簡介 BTL驅動單相全波風扇電機驅動器 AM4951 / R / 2 2010年6月 BCD半導體制造有限公司 1描述 AM4951 / R / 2系列是單相BTL輸出風扇電機驅動器由雙極性設計處理.此IC具有高效率,無聲操作并包括鎖定關機和自動重啟功能.當電機...
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AK002D2-11 AK002D2-11
AK002D2-11中文資料第1頁精選內容:
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AP2114DA-3.3TRG1 AP2114DA-3.3TRG1
AP2114DA-3.3TRG1中文資料第8頁精選內容:數據表具有使能的1A低噪聲CMOS LDO調節器 AP2114 2013年1月修訂版2 BCD半導體制造有限公司 8電氣特性 AP2114-1.2電氣特性(注2) (V IN = 2.5V,C IN =4.7μF(陶瓷),C OUT =4.7μF(陶瓷),典型T A = 25°C,粗體字適用于-40°C以上 ≤TA≤85 ° C范圍,除非另有說明(注3))參數符...
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AP2128K-4.2TRG1 AP2128K-4.2TRG1
AP2128K-4.2TRG1中文資料第19頁精選內容: 300MA高速,極低噪聲CMOS LDO調節器 AP2128數據表 19 2010年9月修訂版2.0 BCD半導體制造有限公司典型應用 V OUT = 0.8(1 + R1 / R2)V V OUT = 1.0V至5.2V圖40. AP2128的典型應用 V IN V IN V OUT V OUT關掉 GND C OUT 1 μF C IN 1 μF AP2128 V在 V在 V OUT V OUT ADJ關掉 GND C OUT 1 μF C在 1 μF R1 R2 AP2128
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ACE2341 ACE2341
ACE2341 P溝道增強型MOSFET VER 1.3 3輸入電容 C ISS V DS = -6V,V GS = 0V, F = 1MHZ的 700 PF的輸出電容 C OSS 160反向傳輸電容 C RSS 120開啟時間 T D(ON) V DD = -6V,R L =6Ω I D≡ -1.0A,V GEN = -4.5V R G =6Ω 15 25 NS T R 35 55關閉時間 T D(關閉) 60 90 T F 40 60典型特征輸出特性轉移特性 V DS - 漏源電壓(V) V GS - 柵源電壓(V)導...
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